Los ingresos trimestrales del mercado de semiconductores superan por primera vez los 300.000 millones de dólares: un punto de inflexión histórico impulsado por la memoria y la reestructuración de la cadena industrial

Resumen del evento

El 10 de junio de 2026, Omdia publicó un informe de investigación que indica que en el primer trimestre de 2026, los ingresos del mercado global de semiconductores alcanzaron los 319 mil millones de dólares, un aumento intertrimestral del 27%, el mayor crecimiento intertrimestral desde que se tienen datos trimestrales en 2002. Entre ellos, los ingresos de la memoria (DRAM y NAND) se dispararon más del 80%, representando por primera vez más del 40% de los ingresos totales de semiconductores, superando con creces el promedio a largo plazo de alrededor del 20%. Los ingresos de NAND alcanzaron los 48 mil millones de dólares, un aumento intertrimestral del 96%, y el precio promedio (ASP) se disparó un 95%. Los ingresos de semiconductores no relacionados con la memoria solo crecieron alrededor del 2%, pero superaron la norma estacional histórica de una disminución intertrimestral de aproximadamente el 4%.

Omdia espera que el segundo trimestre continúe con un crecimiento intertrimestral de más del 20%, y los ingresos totales del primer semestre podrían superar los 700 mil millones de dólares. El umbral de 1 billón de dólares para todo el año está cerca.

Antecedentes de la industria: del 'rey del ciclo' al 'cambio estructural'

La industria de semiconductores ha sido históricamente conocida por su fuerte ciclicidad, especialmente el mercado de la memoria, que experimenta fuertes fluctuaciones debido a desajustes entre oferta y demanda. El ciclo descendente de 2018-2019 dejó a la industria en una situación desoladora, pero la ola de IA de 2023-2024 cambió completamente la situación. En los últimos tres años, la explosión de la demanda de memoria para IA, liderada por HBM (memoria de alto ancho de banda), ha transformado la DRAM y la NAND de 'materias primas' a 'recursos estratégicos'.

Lo que llama especialmente la atención de los datos del primer trimestre es que la proporción de ingresos de memoria superó el 40% y el aumento de precios superó con creces la norma histórica. Esto ya no es una simple recuperación cíclica, sino un salto estructural en la demanda impulsado por la inversión en infraestructura de IA.

Impacto tecnológico: la reinvención de la tecnología de memoria impulsada por IA

• En el ámbito de DRAM: HBM3E y HBM4 se están convirtiendo en el estándar para los aceleradores de IA, impulsando mejoras continuas en la capacidad y el ancho de banda por chip. Los tres principales fabricantes (Samsung, SK Hynix y Micron) están trasladando la mayor parte de su capacidad avanzada a productos HBM, desplazando el suministro de DRAM tradicional, lo que ha provocado un aumento simultáneo de los precios de DDR5 y LPDDR5.
• En el ámbito de NAND: La demanda de almacenamiento en centros de datos de IA (especialmente SSD de gran capacidad) está acelerando la adopción de tecnologías QLC y PLC. La capacidad promedio de los SSD empresariales ha pasado de 4TB a 8TB/16TB, impulsando la demanda de bits NAND. Al mismo tiempo, la lenta mejora del rendimiento de los fabricantes como Samsung y Kioxia en 3D NAND de más de 200 capas ha limitado la liberación de la oferta, creando una situación de 'aumento simultáneo de volumen y precio'.
• Barreras tecnológicas: El aumento de las capas de litografía EUV en DRAM y la dificultad del proceso de bonding híbrido (Hybrid Bonding) en NAND constituyen barreras de entrada. Los nuevos participantes (como los fabricantes chinos) enfrentan mayores dificultades para ponerse al día en nodos avanzados.

Impacto en la cadena de suministro: la inclinación hacia la 'memorización' de la cadena industrial### Equipos y materiales upstream - Beneficiarios de equipos: Applied Materials (deposición/grabado), Lam Research (grabado/deposición), KLA (inspección) han visto un aumento significativo en la proporción de pedidos en los procesos DRAM y NAND, especialmente la fuerte demanda de equipos TSV (silicio a través de vías) relacionados con HBM. - Beneficiarios de materiales: La demanda de consumibles como fotorresistentes, gases especiales, pulpa CMP, etc., aumenta a medida que la tasa de utilización de capacidad se eleva. Pero debido a las restricciones de exportación, el suministro de algunos materiales de alta gama sigue limitado a empresas japonesas y estadounidenses.

Fabricación intermedia (fabricas de obleas) - Fabricantes originales de memoria (Samsung, SK Hynix, Micron, Kioxia/WDC) se benefician directamente del aumento de precios, con utilidades récord. Están acelerando la conversión de parte de la capacidad lógica a capacidad de almacenamiento, pero el gasto de capital se concentra más en HBM y empaquetado avanzado. - Fundiciones de obleas lógicas (TSMC, Samsung, Intel) aunque no participan directamente en los aumentos de precios de la memoria, los clientes de chips de IA (NVIDIA, AMD, etc.) están realizando pedidos activamente de procesos avanzados y empaquetado avanzado, manteniendo la utilización de capacidad al máximo, beneficiándose indirectamente.

Empaquetado y pruebas downstream - Empaquetado avanzado: La integración de HBM con chips lógicos (como CoWoS, apilamiento de HBM) se está convirtiendo en un cuello de botella. La capacidad de CoWoS de TSMC no puede satisfacer la demanda, y los pedidos de empaquetado 2.5D/3D de ASE y Amkor aumentan drásticamente. - Equipos de prueba: Advantest y Teradyne están experimentando un rápido crecimiento en la demanda de pruebas de memoria (especialmente pruebas de alto ancho de banda HBM).

¿Quién corre riesgo? - Fabricantes de chips que no son de memoria (como MCU, chips analógicos): enfrentan una doble presión de aumento de costos (aumento de precios de las fundiciones de obleas) y demanda estacional débil. - Participantes pequeños y medianos en la cadena de suministro: son más fácilmente excluidos en la asignación de capacidad, especialmente las empresas fabless con poco poder de negociación.

Panorama competitivo: Reequilibrio del panorama competitivo

| Segmento de mercado | Líderes | Tendencia de cambio | | --- | --- | --- | | DRAM | Samsung, SK Hynix, Micron | Samsung lidera, pero es seguido por SK Hynix en participación de HBM; Micron se beneficia de la certificación HBM3E | | NAND | Samsung, Kioxia, Micron, SK Hynix (Solidigm) | La participación de Samsung se erosiona; Kioxia intensifica después de la OPI; YMTC de China no se beneficia plenamente debido a sanciones | | Chips lógicos de IA | NVIDIA, AMD, Intel | NVIDIA sigue dominando, pero AMD MI400 e Intel Falcon Shores comienzan a alcanzarlos | | Empaquetado avanzado | TSMC, ASE, Amkor | TSMC lidera; Samsung I-Cube e Intel Foveros intentan obtener una parte |El poder de negociación de los fabricantes de memoria se ha incrementado enormemente; el antiguo modelo "impulsado por PC/teléfonos móviles" está siendo reemplazado por el "impulsado por centros de datos de IA". La posición estratégica de Samsung, SK Hynix y Micron en la cadena industrial ha pasado de ser "proveedores de componentes" a "núcleo de infraestructura de IA".

Implicaciones Regionales: Reconfiguración del panorama industrial regional

• Corea del Sur: Samsung y SK Hynix son los mayores ganadores. La proporción de exportaciones de semiconductores de Corea del Sur ha aumentado aún más, y el gobierno acelera el apoyo a grandes clústeres como Yongin y Pyeongtaek. Sin embargo, la dependencia excesiva de la memoria también aumenta la vulnerabilidad económica.
• Estados Unidos: Micron está aumentando la inversión en HBM, y fabricantes de equipos como Applied Materials y Lam Research se benefician. La Ley CHIPS de EE. UU. impulsa la fabricación nacional de memoria (como la planta de Micron en el estado de Nueva York), pero el desbordamiento tecnológico es limitado.
• China: YMTC, afectada por los controles de exportación de EE. UU., no puede comprar equipos avanzados y se encuentra en una posición pasiva en el aumento de precios de NAND; CXMT tiene una capacidad limitada de DRAM. En general, China no puede disfrutar de los beneficios de los precios en el ciclo alcista de la memoria y también enfrenta presiones de importación de alto costo.
• Japón: Kioxia reinicia su plan de salida a bolsa y está expandiendo activamente tecnologías NAND (como CBA); proveedores de equipos y materiales como Tokyo Electron y Shin-Etsu Chemical se benefician de la expansión global de capacidad.
• Taiwán (China): TSMC, como líder en fundición lógica, aunque no se beneficia directamente del aumento de precios de la memoria, el aumento de pedidos de chips de IA mantiene su utilización de capacidad por encima del 100%+, y el empaquetado avanzado se convierte en un nuevo polo de crecimiento.
• Europa: Infineon, NXP y otros gigantes no relacionados con la memoria se ven afectados por la estacionalidad, pero la demanda de chips automotrices e industriales es estable, con una actitud general de cauteloso optimismo.

Perspectiva de Inversión: Fiesta y preocupaciones del mercado de capitales

• Beneficios a corto plazo: Las EPS de las acciones de memoria (Samsung, SK Hynix, Micron) se revisan al alza significativamente y los precios de las acciones alcanzan nuevos máximos. Las acciones de equipos (Applied Materials, ASML, TEL) continúan con pedidos sólidos.
• Valor a largo plazo: La sostenibilidad de la demanda estructural impulsada por la IA se vuelve clave. Si el gasto de capital en IA se desacelera, los precios de la memoria podrían caer en picada. La historia muestra que los puntos de inflexión del ciclo de la memoria a menudo llegan más rápido de lo esperado.
• Oportunidades de inversión: Prestar atención a equipos y materiales de empaquetado avanzado (como la cadena de suministro de CoWoS), fabricantes de pruebas especializadas en HBM, y fundiciones lógicas que se benefician del "efecto de derrame del aumento de precios de la memoria".

Perspectiva a Largo Plazo: Perspectivas de la industria para 3-10 años| Dimensión temporal | Cambios clave | | --- | --- | | Próximos 3 años | La demanda de centros de datos de IA continúa, los HBM/SSD de alta capacidad se vuelven dominantes; la cuota del mercado de memoria se mantiene entre 30-40%, muy por encima del promedio histórico; el mercado no-memoria crece moderadamente impulsado por chips de inferencia de IA | | Próximos 5 años | La tecnología de memoria evoluciona hacia DRAM 3D y nuevos tipos de almacenamiento (como PCM, MRAM); la computación cuántica puede comenzar a afectar ciertos escenarios de HPC; la industria de memoria china avanza lentamente, pero acelerará la construcción de capacidad en procesos maduros | | Próximos 10 años | Los ingresos anuales de semiconductores globales podrían superar los 2 billones de dólares, pero aún existen fluctuaciones cíclicas; la regionalización de la cadena de suministro se profundiza, China podría formar un ecosistema de memoria independiente; la integración de memoria y lógica (como protocolo CXL, computación integrada) rompe los límites tradicionales |El logro de que el mercado de semiconductores supere los 300 mil millones de dólares en el primer trimestre de 2026 es un hito, pero no un pico cíclico, sino un punto de inflexión estructural impulsado por la IA. El "súper ciclo" del mercado de memorias está reconfigurando la distribución de beneficios en la cadena industrial, las rutas tecnológicas y el panorama regional. Para inversores y tomadores de decisiones empresariales, la clave está en evaluar: ¿Esta demanda impulsada por la inversión en infraestructura de IA podrá mantenerse en 2027-2028? La historia no se repetirá simple, pero la fuerte naturaleza cíclica de las memorias no ha desaparecido. Los altos precios y la alta proporción actuales representan tanto una oportunidad como un riesgo: cuando se alivien los cuellos de botella de suministro o los compradores de IA comiencen a recortar pedidos, la magnitud de la caída podría ser igualmente enorme.

En la cadena industrial de semiconductores, el foso tecnológico, la capacidad de bloqueo de la cadena de suministro y el apoyo de políticas regionales se convertirán en los factores centrales de la competencia futura.