SK Hynix supera a Samsung: la era del almacenamiento de IA redefine el panorama de semiconductores de Corea

Resumen del evento

El 22 de junio de 2026, las acciones de SK Hynix (000660.KS) subieron un 5,7 %, con una capitalización de mercado de 2.082,5 billones de wones (aproximadamente 1,35 billones de dólares), superando por primera vez a Samsung Electronics (005930.KS) que tenía 2.081,3 billones de wones (excluyendo acciones preferentes), y se convirtió en la empresa que cotiza en bolsa con mayor capitalización de mercado en Corea del Sur. Es la primera vez desde el año 2000 que Samsung Electronics pierde el primer puesto en capitalización de mercado en Corea, lo que marca un profundo cambio en la industria global de semiconductores impulsado por la demanda de IA.

Antecedentes: De la bancarrota a la favorita de la IA

El ascenso de SK Hynix es uno de los mayores giros en la historia corporativa de Corea del Sur. En 2002, la empresa, entonces llamada Hynix Semiconductor, acumuló una enorme deuda debido a una expansión agresiva, casi fue vendida a Micron, y finalmente pasó casi una década bajo control de los acreedores. En 2003, sus acciones cayeron a 135 wones, consideradas «acciones basura». Desde entonces, el destino de la empresa ha fluctuado con los ciclos de la industria de la memoria, y en 2023 reportó una pérdida operativa anual de 7,73 billones de wones debido a la recesión del sector.

Sin embargo, con la aceleración de la ola de IA en 2024, gigantes como Microsoft, Google y Meta invirtieron masivamente en infraestructura de IA. SK Hynix, gracias a su ventaja de ser pionero en el campo de HBM (memoria de alto ancho de banda), logró un rendimiento explosivo, con una ganancia operativa récord de 23,5 billones de wones en 2024. En 2025, SK Hynix poseía el 61 % de la cuota del mercado global de HBM, muy por delante del 17 % de Samsung y el 21 % de Micron.

Análisis en profundidad

Impacto tecnológico: Cómo HBM está cambiando la ruta de la tecnología de almacenamiento

HBM es una memoria especializada que apila verticalmente chips DRAM para lograr un mayor ancho de banda y un menor consumo de energía. A diferencia de la memoria DDR o GDDR tradicional, HBM se integra estrechamente con procesadores de IA (como GPU de NVIDIA, TPU de Google), formando un diseño de co-diseño insustituible. El presidente de SK Group, Chey Tae-won, señaló en su libro: «En el pasado, ya fuera la memoria de Hynix, Samsung o Micron, eran productos intercambiables. HBM es diferente: si se reemplaza el HBM de SK Hynix, es posible que el sistema de IA no funcione correctamente».

Esta característica ha aumentado significativamente las barreras tecnológicas: HBM requiere tecnología avanzada de TSV (vías a través de silicio) y microbumps, así como un estricto diseño de co-diseño chip-empaquetado. SK Hynix comenzó a invertir en I+D de HBM ya en la década de 2010, sin detenerse incluso durante los ciclos descendentes de la industria, lo que le ha permitido construir un profundo foso tecnológico.

Impacto en la cadena de suministro: Beneficiarios y partes de riesgo en la cadena industrialEquipos y materiales upstream: La fabricación de HBM depende de procesos DRAM más avanzados (1α, 1β, etc.) y equipos de empaquetado avanzado. Los planes de expansión de SK Hynix impulsarán la demanda de las máquinas de litografía de ASML, los equipos de deposición de Applied Materials, los equipos de grabado de Lam Research y los fabricantes de equipos de empaquetado (como Disco y Tokyo Electron). Al mismo tiempo, el HBM consume mayores cantidades de obleas de silicio de alta pureza, fotorresistentes y productos químicos especiales (como el líquido de galvanoplastia TSV), lo que beneficia a los proveedores de materiales.

Fabricación intermedia: SK Hynix planea expandir su producción de DRAM aproximadamente un 38% entre 2025 y 2028, mientras que Samsung solo la expandirá un 17,5%. Esto significa que SK Hynix está reduciendo la brecha de capacidad con Samsung, y se espera que para 2028 la brecha disminuya del 23% a menos del 10%. Esto tendrá un impacto profundo en la estructura de la oferta mundial de DRAM: si SK Hynix continúa liderando en HBM, su rentabilidad general y su cuota de mercado aumentarán aún más.

Empaquetado y pruebas downstream: El HBM requiere empaquetado avanzado 2.5D/3D (como CoWoS, InFO), lo que genera pedidos adicionales para fabricantes de empaquetado como ASE y Amkor. SK Hynix también está expandiendo su propia capacidad de empaquetado, por ejemplo, invirtiendo en la construcción de una línea de empaquetado avanzado en Cheongju, Corea del Sur.

Partes en riesgo: Samsung Electronics enfrenta una doble presión: no solo está rezagado en el mercado de HBM, sino que su ventaja tradicional en DRAM también podría erosionarse. Además, aunque Micron tiene una cuota del 21% en HBM, su escala es más pequeña y carece de la ventaja de ser el primero en moverse que tiene SK Hynix.CONTEXTO ANTES: ### Implicaciones Regionales: Reequilibrio de la industria de semiconductores de Corea del Sur

TEXTO A TRADUCIR: Corea del Sur: El hecho de que SK Hynix supere a Samsung significa que la industria de semiconductores de Corea del Sur ya no está dominada exclusivamente por Samsung, sino que forma una estructura de dos líderes. Para el gobierno surcoreano, esto es tanto una oportunidad como un desafío: necesita apoyar la competencia de ambas empresas y garantizar una posición estable en la cadena de suministro global.

Estados Unidos: SK Hynix se ha convertido en un proveedor clave para NVIDIA y Google, y su cotización en EE. UU. (optando por el Nasdaq) la integrará aún más en el ecosistema de IA estadounidense. La Ley de Chips y Ciencia de EE. UU. podría atraer a SK Hynix a establecer más capacidad de empaquetado de HBM en el país para reducir los riesgos en la cadena de suministro.

China: Las empresas chinas de chips de IA (como Huawei y Cambricon) también están desarrollando alternativas al HBM, pero a corto plazo no pueden superar las patentes y barreras técnicas de SK Hynix. Los controles de exportación de EE. UU. hacia China podrían limitar el suministro de HBM de SK Hynix a China, afectando su estructura de ingresos.

Japón y Europa: Japón se beneficia de los equipos y materiales de HBM (como Tokyo Electron y Shin-Etsu Chemical); Europa, por su parte, ve impulsada la demanda de HBM indirectamente debido al aumento de la inversión en infraestructura de IA.

Perspectiva de Inversión: Valor a largo plazo en los mercados de capital

¿Por qué el mercado de capitales otorga una valoración tan alta a SK Hynix? El núcleo radica en el poder de fijación de precios que otorga la característica de "personalización" del HBM. Mientras que los márgenes brutos de la DRAM tradicional fluctúan bruscamente, el HBM, al estar profundamente vinculado a los chips de IA, goza de una alta fidelidad del cliente y precios relativamente estables. Además, la inversión en infraestructura de IA aún se encuentra en una etapa temprana, y se espera que la tasa de crecimiento compuesta anual de la demanda de HBM se mantenga por encima del 30% durante los próximos 3 a 5 años.

Factores impulsores del valor a largo plazo: 1. La iteración continua del HBM3e y la próxima generación HBM4 permitirá a los líderes tecnológicos mantener una alta cuota de mercado. 2. SK Hynix también está incursionando activamente en nuevas direcciones como la memoria CXL (Compute Express Link). 3. Tras su cotización en EE. UU., la facilidad para obtener financiamiento aumentará, lo que puede utilizarse para fusiones, adquisiciones o expansión de capacidad.

Perspectiva a Largo Plazo: Cambios en la industria en los próximos 5 a 10 años

2027-2028: SK Hynix y Samsung estarán casi igualadas en capacidad total de DRAM, pero SK Hynix tendrá una mayor participación en el sector de HBM, lo que podría impulsar que sus ganancias totales superen a las de Samsung.

2029-2030: El HBM podría evolucionar de 2.5D a apilamiento 3D, y la acumulación tecnológica de TSV de SK Hynix se convertirá en una barrera clave. Al mismo tiempo, los chips de inferencia de IA exigirán mayor capacidad y ancho de banda del HBM, impulsando una mayor integración entre almacenamiento y computación.

Después de 2030: Podrían surgir competidores como nuevas memorias (MRAM, FeRAM), pero a corto plazo el HBM seguirá siendo la solución principal en los sistemas de IA. Si la industria de semiconductores de Corea del Sur mantiene una competencia de dos líderes, continuará dominando el mercado global de almacenamiento.

Juicio de la Industria

• CONTEXTO DESPUÉS:
• La superación de la capitalización de mercado de SK Hynix sobre Samsung no es solo un triunfo a nivel empresarial, sino un evento emblemático del cambio de paradigma en la industria de semiconductores en la era de la IA:
• Los chips de memoria pasan de ser "materias primas" a "componentes estratégicos", y la personalización y el diseño colaborativo se convierten en el núcleo de la competencia.El hecho de que SK Hynix supere a Samsung en capitalización de mercado no solo es un triunfo a nivel empresarial, sino un evento emblemático del cambio de paradigma en la industria de semiconductores en la era de la IA:
• Los chips de memoria pasan de ser un "commodity" a un "componente estratégico". La personalización y el diseño colaborativo se convierten en el núcleo de la competencia.
• Se destaca la importancia del ciclo de inversión en tecnología: persistir en I+D durante los períodos bajos del sector permite tomar la delantera en el siguiente ciclo de crecimiento.
• Se forma un duopolio de semiconductores en Corea del Sur, pero si Samsung no acelera su avance en HBM, podría quedar marginada en la era de la memoria para IA.
• Impacto en la cadena de suministro global: la fabricación de HBM está altamente concentrada (principalmente Corea del Sur y EE. UU.), por lo que los riesgos geopolíticos no pueden ignorarse.

En resumen, el ascenso de SK Hynix es un microcosmos de la profunda reestructuración de la industria de semiconductores impulsada por la IA. En los próximos cinco años, la industria de la memoria podría pasar de un "equilibrio oligopólico" a un "reemplazo de líderes", y la competencia en HBM determinará la configuración global de los semiconductores.